• <i id="9qf13"><track id="9qf13"></track></i>
    <u id="9qf13"></u>
    1. <noscript id="9qf13"><track id="9qf13"></track></noscript>

      1. 熱搜關鍵詞:拉曼光譜儀,光纖光譜儀,熒光光譜儀,地物光譜儀 | 
        當前位置:首頁   >    產品中心   >       >    熒光光譜儀   >   ATT1100--雪崩二極管(APD)--激光測距用 產品展示

        ATT1100--雪崩二極管(APD)--激光測距用

        型 號

        所屬分類熒光光譜儀

        報價

        產品描述:ATT1100--雪崩二極管(APD)--激光測距用
        ATT1000是專門為激光測距優化設計的雪崩二極管(APD),具有高速響應、高增益、低結電容、低噪聲的特點,非常適合激光測距、雷達等應用。

        產品概述

        ATT1100--雪崩二極管(APD)--激光測距用 

        ATT1000是專門為激光測距優化設計的雪崩二極管(APD),具有高速響應、高增益、低結電容、低噪聲的特點,非常適合激光測距、雷達等應用。

         

        ATT1100--雪崩二極管(APD)--激光測距用 

        特征:

        l  高速響應、高增益、低結電容、低噪聲

        l  正照平面型芯片結構

        l  230μm、500μm光敏面可選

        l  陶瓷貼片封裝

        l  內置濾波片(635nm窄帶)和白玻窗可選

         

        典型應用:

        l  激光測距

        l  激光告警

        l  激光雷達

        1       zui大額定值

        參數名稱

        符號

        zui小值

        zui大值

        單位

        工作溫度

        TOP

        -20

        85

        儲存溫度

        Tstg

        -55

        125

        工作電壓

        Vop

         

        0.9×VBR

        V

        焊接溫度

        Stemp

         

        260

        耗散功率

          

        1

        mW

        正向電流

          

        1

        mA

        2       光電性能(@Tc=22±3℃)

        特性參數

        符號

        測試條件

        zui小

        典型

        zui大

        單位

        光譜響應范圍

        λ

        4001100

        nm

        光敏面直徑

        φ

        2001)、5002

        μm

        響應度

        Re

        λ=800nm,φe=1μW, M=1

         

        0.5

         

        A/W

        響應時間

        tS

        f=1MHz,RL=50Ω,λ=800nm

         

        0.3

         

        ns

        暗電流

        ID

        M=100

        0.021

        0.051

        0.41

        nA

        0.052

        0.12

        0.52

        總電容

        Ctot

        M=100,f=1MHz

         

        1.51

         

        pF

         

        32

         

        zui適宜的放大倍數

        M

          

        100

          

        反向擊穿電壓

        VBR

        IR=10uA

        80

         

        200

        V

        工作電壓溫度系數

        δ

        Tc=-40℃85℃

         

        0.51

         

        V/℃

         

        0.5(2)

         

         

        注:

        (1)       為光敏面φ230μm器件之參數

        (2)       為光敏面φ500μm器件之參數

        留言框

        • 產品:

        • 您的單位:

        • 您的姓名:

        • 聯系電話:

        • 常用郵箱:

        • 省份:

        • 詳細地址:

        • 補充說明:

        • 驗證碼:

          請輸入計算結果(填寫阿拉伯數字),如:三加四=7
        聯系方式
        • 手機

          18020740586

        在線客服
        自拍偷拍网站,自拍偷拍无码,自拍偷拍午夜,自拍偷拍小视频,自拍偷拍小说