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        共聚焦拉曼光譜儀3大優勢

        點擊次數:2500  發布時間:2018-01-10
           拉曼光譜技術以其信息豐富、制樣簡單、水的干擾小等*優點,在化學、材料、物理、高分子、生物、醫藥、地質等領域有著廣泛的應用。共聚焦拉曼光譜儀是其中的一種,以其*的優勢占據著廣闊的市場。

        共聚焦拉曼光譜儀

          共聚焦拉曼光譜儀3大優勢:
          1、*的靈活性:
          共聚焦拉曼光譜儀另一個*的優勢就是可在系統中配備一個附加出口。用雙出口選項,可多配備一個紅外InGaAs陣列,ICCD,PMT或其它專業單道探測器。實際上,該系統有很寬的激光光源適應能力和多探測器選項,能提供很寬的光譜范圍或進行時域分析。
          近紅外探測器對于在830納米或1064納米激發下的發光測量(例如對于半導體材料)和拉曼分析等特別有用。這兩種應用下的光譜都在標準硅器件CCD探測器的測量范圍之外,例如,一些重要的III-V族半導體材料的重要信息在1100納米和1300納米區域,不在硅器件的敏感探測區。用其它的探測器(如InGaAs或Ge探測器),就很容易實現這個區域的測量.
          2、高分辨:
          共聚焦拉曼光譜儀具有800毫米的光譜儀焦長,其所能達到的分辨率約為標準300毫米焦長拉曼譜儀的3倍,比250毫米焦長的老式設計拉曼譜儀更高。從下圖可以清楚地看到,用高分辨率系統采集的譜圖有更多的數據點,在進行微小的拉曼峰移分析時,比短焦長系統準確的多。同時用HR系統能更準確地給出拉曼譜峰的峰形這一重要的參數,峰位和峰形都能表征重要的樣品變化。
          3、應力引起的拉曼位移:
          共聚焦拉曼光譜儀是一種理想的應用測量工具。左圖中固體相硅應力拉曼分析表明可識別出0.3cm-1的拉曼峰移。半導體器件中的新型SOI和SiGe薄膜具有類似的小峰位和峰形改變,非常適合用共聚焦拉曼光譜儀進行測量。
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